「恐成國安隱憂」，美國反對SK海力士中國廠引進半導體先進設備，其勁敵三星已赴美擴大設廠

韓國SK海力士（SK Hynix）正計畫將位於中國的半導體晶片工廠進行更新，藉此提高晶片的效率和產能，而這個計畫卻遭到美國官員阻止，並且強調不希望半導體先進設備進入到中國，美國貿易代表戴琪（Chi Tai）坦言，知道韓方困難，但面對中國問題必須攜手解決的課題。

美、中對抗，SK海力士在中國成隱憂

韓國SK海力士是全球20大半導體廠商之一。海力士成立於1983年，當時專注於專注於銷售DRAM（動態隨機存取記憶體），後來轉生產SDRAM（同步動態隨機存取記憶體），直到2012年，遭韓國第3大財團——SK集團收購，才更名為SK海力士。

知情人士告訴《路透社》，SK海力士的生產計劃要求該公司升級位於中國無錫的大規模生產設施，配備荷蘭公司艾司摩爾（ASML）製造的一些最新的極紫外光刻（EUV）晶片製造機。

面對傳聞白宮裡面的高層官員拒絕對此評論。但他強調拜登（Joe Biden）政府仍然專注於阻止中國利用美國和盟國的技術開發最先進的半導體製造技術，以幫助國內實現軍事現代化的企圖。

位於中國無錫的晶片工廠對於全球電子產業至關重要。《CNBC》報導指出，因為它生產SK海力士大約一半的DRAM晶片，佔全球總量的15%。任何重大變化都可能對全球供需市場產生影響。

一位了解中國記憶體業務的人士告訴《CNBC》，先進晶片市場需求將在未來2至3年內中，獲得更多市占率；SK海力士必須仰賴ASML的機器控制成本，並且加速生產。

如今，SK海力士面臨大麻煩，由於設備遲遲遭到卡關，若未來幾年內沒有獲得解決，DRAM市場將會受到另外兩個競爭對手（韓國三星、美國美光）的打擊；三星和美光正積極向ASML採購EUV機器，並在中國以外的地方使用這些先進設備。

競爭對手三星赴美國擴大生產晶片

為了搶得先機，三星（Samsung）早已赴美國興建半導體晶片廠。知情人士告訴《華爾街日報》，該計畫斥資170億美元（新台幣4760億元），在德州（State of Texas）泰勒市（Taylor）動土興建。

根據三星所揭露的消息顯示，該計畫將於當地創造1800個工作，預計2024年底才會開始量產；而泰勒市為三星提供獎勵措施，前十年內有相當於高達92.5%的地稅減免，而在後續幾十年裡，減免額將逐漸減少。

《關鍵評論網》訪談半導體工程師夏有駿表示，美、中對抗已經是既定事實，未來至少10年這個趨勢不會改變，這也代表半導體產業，無法以純粹的「商業考量」來思考，他強調除了三星以外、台灣台積電（TSMC）也已經赴美國亞利桑那州（Arizona）建廠。

夏有駿強調，台積電、三星是全球能夠生產最先進製程晶片的產商，這也代表其他的廠商根本無法和他們競爭（包含美國英特爾）。另外，他解釋，SK海力士和三星在韓國稱為半導體雙雄。

他說，SK海力士專注於記憶體晶片製造，目前程停留在4代10奈米技術。夏有駿說，對照台積電、三星都已經預訂數年內量產3奈米，並且朝著2奈米的高階技術前進，並強調：「這對SK海力士壓力一定很大，到時候三星能以性能更好的記憶體搶市占」。

美國貿易代表戴琪（Chi Tai）接受南韓《CBS》廣播電台對此委婉地表示，她知道韓方困難，也在此次訪韓過程中了解到相關情況，但我們都生活在經濟一體化時代，必須攜手解決問題。

面對設備出售一事，ASML發言人表示，公司遵守所有出口管制法律，並將其視為政府確保國家安全的「工具」；他也強調，過度控制可能會影響全球半導體的生產能力。外界不斷關注，SK海力士欲極力跳脫兩大強權的對抗，日後也將如何調整供應鏈因應。

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核稿編輯：翁世航