聯電、美光互告侵權纏訟多年,今發聯合聲明達成全球和解協議,金額保密

聯電、美光互告侵權纏訟多年,今發聯合聲明達成全球和解協議,金額保密
Photo Credit: 中央社

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台灣晶圓代工業者聯電(UMC)與美國記憶體大廠美光(Micron)今(26)日宣布,兩家公司達成全球和解協議,雙方將在全球撤回對彼此的訴訟,而聯電將向美光一次支付金額保密之和解金,未來雙方將尋求共創商業合作機會。

11月26日全球知名的記憶體DRAM大廠美國美光科技(Micron Technology)與台灣聯華電子(UMC,簡稱聯電)兩家公司針對美光提出的智慧財產權竊取告訴案,達成和解共識,最終由聯電支付一次性和解金(未透露金額),為多年纏訟的官司劃下句點。

聯電、美光互告侵權纏訟多年

聯電是全球著名的半導體晶圓代工大廠,專注於邏輯運算的晶片製造、嵌入式非揮發性記憶體等,而其大部分的12吋和8吋晶圓廠及研發中心均位於台灣,若計算亞洲其他地區廠房,現共有12座晶圓廠,月產能總計約80萬片8吋約當晶圓。

根據研究調查機構集邦(TrendForce),聯電晶圓代工市佔率是全球第3,達到7%,僅次於台積電(TSMC)、三星(Samsung);聯電則與格羅方德(GlobalFoundrie)激烈競爭,互有領先對方的時候。

美光則在DRAM領域中佔有一席之地。調查公司Counterpoint公布調查報告指出,三星以41.5%的銷售市佔率穩居龍頭位置;SK 海力士(SK Hynix)市佔率29.3%排第2,美光則為23.4%居第3,前三大廠合計攻佔DRAM市場94.2%。

2018年由於聯電協助「中國福建晉華科技公司」開發動態隨機存取記憶體(DRAM)技術,後因台灣美光主管轉任聯電,導致連遭到台中地方法院檢察署及美國司法部(United States Department of Justice)以涉嫌侵害美光營業秘密偵辦。

美光當時在美國加州北區聯邦地區法院直指聯電應賠償實際損害、3倍損害賠償金及相關費用;而聯電亦在2019年於在中國福州市中級人民法院,反控美光半導體(西安)與美光半導體銷售(上海)等侵害專利權訴訟。

美國司法部起訴福建晉華與聯電共謀盜竊美光商業機密,最終聯電於去(2020)年與司法部達成和解,坦承侵害一項營業秘密,同意支付美國政府6000萬美元罰金(新台幣16.8億元),並在3年自主管理緩刑期間內與司法部合作。

繼美國司法部後,如今聯電與美光又將各自撤回向,對方提出的訴訟。且聯電承諾向美光一次支付金額保密和解金,強調雙方並將共創商業合作機會;聯電表示,此次和解金將在第四季業外一次性認列,但是和解金非賠償任何損失,對財務、業務無重大影響。

聯電侵權官司,工程師對話簡訊成為定罪鐵證

針對纏訟多年的聯電、美光案,日前《鏡週刊》披露的訊息中顯示,聯電前工程師王永銘的認罪內容。王永銘於2016年4月離開美光前,曾用LINE向友人談到:「要到大陸去、賺得比較快。」除了與友人及妻子的對話,王永銘與同從美國跳槽聯電的同事何建廷用LINE對話談DRAM設計的內容也成為起訴罪證。

《鏡週刊》報導稱,王永銘涉嫌下載台灣美光公司及美國美光公司的DRAM製程資料,存放在自己的隨身碟帶出,同月28日至聯電公司南科廠擔任新事業發展中心專案技術經理。

此一新事業發展中心,是聯電與中國晉華合作進行DRAM開發的新部門,若聯電成功做出DRAM,必須技轉晉華。報導指出,去年10月,聯電在美國刑事官司中認罪;且承諾協助後續調查台灣的部分,去年6月一審宣判,台中地院認為王永銘罪證明確,並且供出聯電的上司合謀犯案過程後遭判刑。

科技業人士向《鏡週刊》分析,美光控告聯電案,案發地在台灣,表面上是美光及聯電間的爭訟,但本質是美國與中國間的科技商業角力;先從在台灣及美國都有設廠的聯電下手,美國聯電由司法部發動攻勢,台灣則由美光對台灣聯電公司提告。

他進一步解釋,美方的目標是中國府方出資的晉華集成電路,因為只要聯電遭判有罪,美方斬斷晉華後路;再透過目前在美國官司拉高到國安層次,要求晉華賠償天價。

背後目的是禁止晉華產品在美銷售,甚至限制貿易伙伴不要與其往來。他說,晉華的材料供應恐將因此斷鏈,且美光的法律行動表示終極目標顯然不是聯電,而是對岸的晉華,還是會由美光與晉華在美國最終對決。

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核稿編輯:翁世航


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