《晶片法案》效果浮現:傳韓國三星、SK海力士扭轉對中布局,投入鉅資在美打造半導體供應鏈

《晶片法案》效果浮現:傳韓國三星、SK海力士扭轉對中布局,投入鉅資在美打造半導體供應鏈
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專家指出,基於地緣政治風險,韓國業者不斷重新審視未來策略,將逐漸向美國靠攏,三星與SK海力士會在美國建造更多工廠,與白宮保持良好關係才有設備與技術生產更先進的晶片。

扭轉全球半導體、科技產業的2000億美元《晶片與科學法案》(Chips and Science act)的影響力開始浮現,越來越多的業者評估美中兩大市場中的利弊得失。其中外傳韓國兩大財閥韓國三星(Samsung)、記憶體大廠SK海力士(SK Hynix)將進一步把半導體的資源投入美國。

《晶片與科學法案》扭轉韓企對中國布局、向美國靠攏

《晶片與科學法案》透露出美國朝野對半導體產業高度關注,而法案當中有527億(新台幣1.5兆元)將直接補貼高階晶圓製造,也對其產業鏈中的零組件、設計研發相關獎勵,更重要的是前往美國設廠的企業可享25%的租稅抵減。

8月3日《英國金融》引述兩大韓國企業人士指出,晶片法案已經影響到韓國三星、記憶體大廠SK海力士戰略布局。它們正評估在中國的業務是否要暫緩投資甚至縮減產能,意味著未來此些公司在中國的半導體的建廠計畫將被擱置進而觸怒中國,造成更向美國靠攏的現象。

其中,三星在近日已經提交未來10年的計畫,包含2000億美元在德克薩斯州新建11家晶片片製造廠的願景。文件遭到《華爾街日報》披露,德克薩斯州獎勵計劃即將到期,三星希望當地政府再提供為期10年的財產稅減免。

不過,截至目前當地政府並未承諾該計畫。對照日前三星宣布五年約450兆韓元(3430億美元)的投資計劃,涵蓋了整個三星集團,包含晶片、生物科技以及製藥相關,外界普遍也預期在美國進行大筆投資。但三星發言人表示不予置評。

至於SK海力士2日公布,已成功研發出其最先進的238層NAND快閃記憶體晶片,計劃明年上半年開始大規模量產。其速度速度提升50%,數據消耗的能量降低21%,比美光(Micron)近期推出的232層NAND晶片堆疊層數更高,本來預計擴大進攻中國市場,情況可能有所改變

《金融時報》引述SK證券研究主管Kim Young-Woo指出,基於地緣政治風險,韓國業者不斷重新審視未來策略,可能逐漸向美國靠攏,三星與SK海力士預料在美國建造更多工廠,與白宮保持良好關係才有設備與技術生產更先進的晶片。

獲得補助金的業者,十年內不得在中國擴廠

不過,該法案中並非只是「大放送」,還對來美設廠的企業有「但書」,包含接受補助後,10年內禁止擴大、升級在中國的晶片產能;也不得將補助金用於股票回購或支付股息,或用於其他的資本分配。具有中國軍事背景之企業,不得參與該法案所授權的晶片相關計劃。

台灣超豐電子業內人士指出,三星在中國西安投資快閃記憶體晶片,成為了快閃記憶體產能最大的基地,市占全球10%;接著蘇州的2座家電廠和半導體封裝廠及研發中心;以及和位於天津的1座MLCC廠。SK海力士則在中國無錫有記憶體晶片,此些廠區動向特別受到外界關注。

晶片法案提振美國的機器人、高性能計算產業

扣除527億美元的半導體補助,《晶片與科學法案》還有提供從機器人到高性能計算伺服器的大筆研發費用。其中最大一部分是810億美元將流入國家科學基金會(National Science Foundation)。

該法案也將催生科技與創新委員會(Directorate of Technology and Innovation))以及其他機構,未來將計劃設立,其中包括創設大學科技中心,頒發獎學金和助學金,以培養科學、技術、工程和數學領域的人才。

在過去半導體業者總是抨擊,美國在地生產成本過高,才將產線移往亞洲降低成本,而本次的晶片法案有助於撕下此標籤。《華爾街日報》引述據美國半導體協會(SIA),過去10年美國建造和維護先進晶片工廠的成本比台灣、韓國或新加坡高出大約30%,與中國的差距更是高達50%。

SIA補充強調,政府有無補貼佔成本很大部分。此外還有勞動力和水電等成本也是美國與其他地方差距的因素,各界預計在晶片法案的帶動下,美國晶片成本將大幅下降,打開嶄新且不同的產業局面。

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核稿編輯:翁世航


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