交大開發超低功耗技術 行動裝置10天只要充電1次

交大開發超低功耗技術 行動裝置10天只要充電1次
Photo Credit: 交大
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以鍺取代傳統的矽,作為電晶體的傳導材料,使電晶體工作電壓從目前的0.7伏特降低至0.35伏特,大幅改善功率。

交通大學電子工程系教授荊鳳德開發出超低功耗的電子元件技術,可降低積體電路功率達10倍,未來應用在行動裝置上,可望10天才需要充1次電。荊鳳德帶領研究團隊開發的「超低功耗快速上升電晶體及單電晶體動態隨機存取記憶體」,登上最近的IEEE Newsletter通訊封面故事,獲得學界重視。

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聯合報導,每季出刊的IEEE Newsletter通訊封面故事,一年僅登4篇技術報導,交大荊鳳德團隊研發成果登上最新一期封面,成果備受國際肯定。

交大表示,國際研究顯示,目前新型「鰭狀電晶體」微縮技術,在7奈米時即遇到技術瓶頸,因此必須發明出超越鰭狀電晶體的電晶體。張忠謀在2014年台灣半導體協會喊出「10倍功率降低」目標,IBM近日也宣布投入30億美元於7奈米技術,但始終未有突破。

中央社報導,荊鳳德研究團隊結合多項技術,包括以鍺取代傳統的矽,作為電晶體的傳導材料,使電晶體工作電壓從目前的0.7伏特降低至0.35伏特,大幅改善功率。另外運用美國普渡大學提出的「負電容電晶體」理論,領先世界第一個開發出成功的電晶體,使用高介電係數氧化鉿鋯的「鐵電效應」,形成等效負電容。

研發團隊指出,上述技術可使電晶體開啟時,電流與電壓都快速上升,降低積體電路功率達10倍之多,也就是說,未來手機等行動裝置,可望10天才需要充1次電。交大目前正尋求IBM、東芝等企業合作,將研發成果用於實際產品。

發表在IEEE Newsletter的研究原文:連結一連結二

行動電源bye 交大讓手機撐10天(中央社)
交大找到超低功耗節能電子元件 滿足行動裝置長時間充電(NOWnews)
交大研究發現低功耗元件 10天充電1次(聯合)
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